1. 电阻率公式解析
电阻率（ρ）的通用公式为：
n：载流子浓度（单位：）
对于N型半导体：（施主杂质浓度）；
对于P型半导体：（受主杂质浓度）。
q：电子电荷量（）。
μ：载流子迁移率（单位：），反映载流子运动速度。
2. 不同掺杂浓度下的电阻率
（1）低掺杂（）
载流子浓度：（杂质完全电离）。
迁移率：（晶格散射主导，迁移率较高）。
电阻率公式：
结论：电阻率随增加而单调下降（因n增加）。
（2）高掺杂（）
载流子浓度：（部分杂质未电离，）。
迁移率：（杂质散射增强，迁移率下降）。
电阻率行为：
虽然增加，但n增长放缓，且μ显著下降，导致电阻率下降趋势变缓，甚至可能略微回升。
3. 本征半导体 vs 杂质半导体电阻率
特性本征半导体N型/P型半导体载流子来源热激发（）杂质电离（或）载流子浓度极低由掺杂浓度决定迁移率较高（仅受晶格散射影响）高掺杂时受杂质散射影响显著下降电阻率最高
更低（因载流子浓度大幅提升）
4. 关键结论
本征半导体：
电阻率极高，仅依赖热激发载流子，适用于高阻器件（如传感器）。
杂质半导体：
电阻率可通过掺杂精确调控，N型/P型分别以电子/空穴主导导电。
低掺杂时电阻率与掺杂浓度成反比，高掺杂时迁移率下降成为限制因素。
通过调控掺杂，半导体电阻率可从绝缘体级（本征）跨越到导体级（重掺杂），这是半导体器件设计的核心基础！